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Datasheet > 逻辑 > 总线驱动器/收发器> SN74CBTLV3125DR
SN74CBTLV3125DR PDF预览

SN74CBTLV3125DR

更新时间： 2024-11-05 23:06:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 总线驱动器总线收发器开关逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 287K
描述
LOW-VOLTAGE QUADRUPLE FET BUS SWITCH

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SN74CBTLV3125DR 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOIC-14针数：14
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.26Is Samacsys：N
其他特性：BUS SWITCH控制类型：ENABLE LOW
计数方向：BIDIRECTIONAL系列：CBTLV/3B
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e4
长度：8.65 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER湿度敏感等级：1
位数：4功能数量：1
端口数量：2端子数量：14
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP14,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5/3.3 V
最大电源电流（ICC）：0.01 mA传播延迟（tpd）：0.25 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：Bus Driver/Transceiver最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3.91 mmBase Number Matches：1

SN74CBTLV3125DR 数据手册

 浏览型号SN74CBTLV3125DR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SN74CBTLV3125DR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SN74CBTLV3125DR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SN74CBTLV3125DR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SN74CBTLV3125DR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SN74CBTLV3125DR的Datasheet PDF文件第7页 
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SCDS037J − DECEMBER 1997 − REVISED OCTOBER 2003  
D
D
D
Standard ’125-Type Pinout  
D
D
I
Supports Partial-Power-Down Mode  
off  
Operation  
5-Ω Switch Connection Between Two Ports  
Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports  
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per  
JESD 78, Class II  
D, DGV, NS, OR PW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
RGY PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DBQ PACKAGE  
(TOP VIEW)  
1
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V
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NC  
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CC  
4OE  
CC  
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4A  
4B  
3OE  
3A  
3B  
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1B  
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9
2OE  
2A  
4B  
3OE  
3A  
8
2B  
GND  
GND  
2B  
NC  
7
8
NC − No internal connection  
description/ordering information  
The SN74CBTLV3125 quadruple FET bus switch features independent line switches. Each switch is disabled  
when the associated output-enable (OE) input is high.  
This device is fully specified for partial-power-down applications using I . The I feature ensures that  
off  
off  
damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during  
power off.  
To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE should be tied to V  
resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.  
through a pullup  
CC  
ORDERING INFORMATION  
ORDERABLE  
PART NUMBER  
TOP-SIDE  
MARKING  
†
PACKAGE  
T
A
QFN − RGY  
SOIC − D  
Tape and reel  
SN74CBTLV3125RGYR  
SN74CBTLV3125D  
CL125  
Tube  
CBTLV3125  
Tape and reel  
Tape and reel  
SN74CBTLV3125DR  
SN74CBTLV3125NSR  
SN74CBTLV3125DBQR  
SN74CBTLV3125PWR  
SN74CBTLV3125DGVR  
−40°C to 85°C SOP − NS  
CBTLV3125  
CL125  
SSOP (QSOP) − DBQ Tape and reel  
TSSOP − PW  
TVSOP − DGV  
Tape and reel  
Tape and reel  
CL125  
CL125  
†
Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines  
are available at www.ti.com/sc/package.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
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Copyright 2003, Texas Instruments Incorporated  
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1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251−1443  
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SN74CBTLV3125DR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
74CBTLV3125PWRG4 TI

完全替代

 LOW - voltage quadruple fet bus switch
74CBTLV3125PWRE4 TI

完全替代

 LOW - voltage quadruple fet bus switch
SN74CBTLV3125NSR TI

完全替代

 LOW-VOLTAGE QUADRUPLE FET BUS SWITCH

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SN74CBTLV3125DRE4 TI

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