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Datasheet > 逻辑 > 总线驱动器/收发器> SN74CBT3245CRGYR
SN74CBT3245CRGYR PDF预览

SN74CBT3245CRGYR

更新时间： 2024-09-15 22:17:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 总线驱动器总线收发器开关逻辑集成电路PC
页数 文件大小 规格书
15页 410K
描述
8-BIT FET BUS SWITCH 5-V BUS SWITCH WITH -2-V UNDERSHOOT PROTECTION

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SN74CBT3245CRGYR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QFN
包装说明：QFN-20针数：20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.29Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：754367
Samacsys Pin Count：21Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：SN74CBT3245CRGYR-2
Samacsys Released Date：2020-03-10 13:31:47Is Samacsys：N
控制类型：ENABLE LOW计数方向：BIDIRECTIONAL
系列：CBT/FST/QS/5C/BJESD-30 代码：R-PQCC-N20
JESD-609代码：e4长度：4.5 mm
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER湿度敏感等级：2
位数：8功能数量：1
端口数量：2端子数量：20
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVQCCN
封装等效代码：LCC20/24,.14X.18,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
最大电源电流（ICC）：0.003 mAProp。Delay @ Nom-Sup：0.15 ns
传播延迟（tpd）：0.24 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm子类别：Bus Driver/Transceivers
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED翻译：N/A
宽度：3.5 mmBase Number Matches：1

SN74CBT3245CRGYR 数据手册

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SCDS131A − SEPTEMBER 2003 − REVISED OCTOBER 2003  
D
D
D
D
Undershoot Protection for Off-Isolation on  
A and B Ports Up To −2 V  
D
Control Inputs Can Be Driven by TTL or  
5-V/3.3-V CMOS Outputs  
Bidirectional Data Flow, With Near-Zero  
Propagation Delay  
D
D
D
I
Supports Partial-Power-Down Mode  
off  
Operation  
Low ON-State Resistance (r  
)
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per  
JESD 78, Class II  
on  
Characteristics (r = 3 Ω Typical)  
on  
Low Input/Output Capacitance Minimizes  
Loading and Signal Distortion  
ESD Performance Tested Per JESD 22  
− 2000-V Human-Body Model  
(A114-B, Class II)  
(C  
= 5.5 pF Typical)  
io(OFF)  
− 1000-V Charged-Device Model (C101)  
D
D
Data and Control Inputs Provide  
Undershoot Clamp Diodes  
D
Supports Both Digital and Analog  
Applications: USB Interface, Memory  
Interleaving, Bus Isolation, Low-Distortion  
Signal Gating  
Low Power Consumption  
(I  
= 3 µA Max)  
CC  
D
V
Operating Range From 4 V to 5.5 V  
CC  
D
Data I/Os Support 0 to 5-V Signaling Levels  
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)  
DB, DBQ, DGV, DW, OR PW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
RGY PACKAGE  
(TOP VIEW)  
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B4  
B5  
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B7  
GND  
10  
11  
NC − No internal connection  
NC − No internal connection  
description/ordering information  
The SN74CBT3245C is a high-speed TTL-compatible FET bus switch with low ON-state resistance (r ),  
on  
allowing for minimal propagation delay. Active Undershoot-Protection Circuitry on the A and B ports of the  
SN74CBT3245C provides protection for undershoot up to −2 V by sensing an undershoot event and ensuring  
that the switch remains in the proper OFF state.  
The SN74CBT3245C is organized as an 8-bit bus switch with a single output-enable (OE) input. When OE is  
low, the bus switch is ON, and the A port is connected to the B port, allowing bidirectional data flow between  
ports. When OE is high, the bus switch is OFF, and the high-impedance state exists between the A and B ports.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
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Copyright 2003, Texas Instruments Incorporated  
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POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
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SN74CBT3245CRGYR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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