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SN74CB3Q3345DGVR

更新时间： 2024-02-20 00:31:44
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德州仪器 - TI 开关
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11页 223K
描述
8 BIT FET BUS SWITCH 2.5V/3.3V LOW VOLTAGE HIGH BANDWIDTH BUS SWITCH

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SN74CB3Q3345DGVR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QFN
包装说明：HVQCCN, LCC20/24,.14X.18,20针数：20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.49其他特性：ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY
控制类型：ENABLE LOW/HIGH计数方向：BIDIRECTIONAL
系列：CB3Q/3VH/3C/2BJESD-30 代码：R-PQCC-N20
JESD-609代码：e4长度：4.5 mm
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER湿度敏感等级：2
位数：8功能数量：1
端口数量：2端子数量：20
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVQCCN
封装等效代码：LCC20/24,.14X.18,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5/3.3 V
最大电源电流（ICC）：2 mAProp。Delay @ Nom-Sup：0.2 ns
传播延迟（tpd）：0.2 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm子类别：Bus Driver/Transceivers
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED翻译：N/A
宽度：3.5 mmBase Number Matches：1

SN74CB3Q3345DGVR 数据手册

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SCDS144A − OCTOBER 2003 − REVISED NOVEMBER 2003  
D
D
D
High-Bandwidth Data Path  
(Up To 500 MHz )  
D
D
Data and Control Inputs Provide  
Undershoot Clamp Diodes  
†
5-V Tolerant I/Os with Device Powered-Up  
or Powered-Down  
Low Power Consumption  
(I  
= 0.7 mA Typical)  
CC  
Low and Flat ON-State Resistance (r  
)
D
V
Operating Range From 2.3 V to 3.6 V  
on  
CC  
Characteristics Over Operating Range  
(r = 4 Ω Typical)  
D
Data I/Os Support 0 to 5-V Signaling Levels  
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)  
on  
D
Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports  
− 0- to 5-V Switching With 3.3-V V  
D
D
D
D
Control Inputs Can be Driven by TTL or  
5-V/3.3-V CMOS Outputs  
CC  
− 0- to 3.3-V Switching With 2.5-V V  
CC  
I
Supports Partial-Power-Down Mode  
off  
D
D
Bidirectional Data Flow, With Near-Zero  
Propagation Delay  
Operation  
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per  
JESD 78, Class II  
Low Input/Output Capacitance Minimizes  
Loading and Signal Distortion  
ESD Performance Tested Per JESD 22  
− 2000-V Human-Body Model  
(A114-B, Class II)  
(C  
= 4 pF Typical)  
io(OFF)  
D
Fast Switching Frequency  
(f = 20 MHz Max)  
OE  
− 1000-V Charged-Device Model (C101)  
†
For additional information regarding the performance  
characteristics of the CB3Q family, refer to the TI  
application report, CBT-C, CB3T, and CB3Q  
Signal-Switch Families, literature number SCDA008.  
D
Supports Both Digital and Analog  
Applications: Differential Signal Interface,  
Memory Interleaving, Bus Isolation,  
Low-Distortion Signal Gating  
DBQ, DGV, OR PW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
RGY PACKAGE  
(TOP VIEW)  
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GND  
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Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
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Copyright 2003, Texas Instruments Incorporated  
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POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
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SN74CB3Q3345DGVR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SN74CB3Q3345PWG4 TI

完全替代

 8-Bit FET 2.5-V/3.3-V Low-Voltage High-Bandwidth Bus Switch 20-TSSOP -40 to 85

与SN74CB3Q3345DGVR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SN74CB3Q3345PW TI

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SN74CB3Q3345PWG4 TI

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