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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SOT-553, 5 PIN | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 1.3 | Is Samacsys： | N |
| 系列： | AHCT/VHCT/VT | JESD-30 代码： | R-PDSO-N5 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 1.6 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | AND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.008 A | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 输入次数： | 2 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VSON |
| 封装等效代码： | FL6,.047,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | 包装方法： | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 最大电源电流（ICC）： | 0.01 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 9 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 9 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 座面最大高度： | 0.6 mm |
| 子类别： | Gates | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 1.2 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 74AHCT1G08DRLRG4 | TI |
完全替代  |
single 2-input positive-and gate |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SN74AHCT1G08-Q1 | TI |
获取价格 |
单路 2 输入正与门 |
|
| SN74AHCT1G125 | TI |
获取价格 |
SINGLE BUS BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT |
|
| SN74AHCT1G125_10 | TI |
获取价格 |
SINGLE BUS BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT |
|
| SN74AHCT1G125_16 | TI |
获取价格 |
Single Bus Buffer Gate With 3-State Output |
|
| SN74AHCT1G125DBV | TI |
获取价格 |
SINGLE BUS BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT |
|
| SN74AHCT1G125DBVR | TI |
获取价格 |
SINGLE BUS BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT |
|
| SN74AHCT1G125DBVR | UMW |
获取价格 |
逻辑集成电路 |
|
| SN74AHCT1G125DBVT | TI |
获取价格 |
SINGLE BUS BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT |
|
| SN74AHCT1G125DCK | TI |
获取价格 |
SINGLE BUS BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT |
|
| SN74AHCT1G125DCK3 | TI |
获取价格 |
具有 TTL 兼容型 CMOS 输入和三态输出的单路 4.5V 至 5.5V 缓冲器 | |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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