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Datasheet > 驱动程序和接口 > 线路驱动器或接收器> SN65LBC176AMDREP
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SN65LBC176AMDREP

更新时间： 2024-09-15 12:14:59
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德州仪器 - TI 总线收发器线路驱动器或接收器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管信息通信管理
页数 文件大小 规格书
17页 410K
描述
DIFFERENTIAL BUS TRANSCEIVER

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SN65LBC176AMDREP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.75Is Samacsys：N
差分输出：YES驱动器位数：1
高电平输入电流最大值：0.0001 A输入特性：DIFFERENTIAL SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型：LINE TRANSCEIVER接口标准：EIA-485-A; TIA-485-A; ISO 8482
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
长度：4.9 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最小输出摆幅：0.9 V输出特性：3-STATE
最大输出低电流：0.008 A输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大接收延迟：30 ns接收器位数：1
座面最大高度：1.75 mm子类别：Line Driver or Receivers
最大压摆率：15 mA最大供电电压：5.25 V
最小供电电压：4.75 V标称供电电压：5 V
电源电压1-最大：5.25 V电源电压1-分钟：4.75 V
电源电压1-Nom：5 V表面贴装：YES
技术：BICMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大传输延迟：12 ns
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

SN65LBC176AMDREP 数据手册

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SGLS151C − DECEMBER 2002 − REVISED JULY 2004  
D Package  
(TOP VIEW)  
D
Controlled Baseline  
− One Assembly/Test Site, One Fabrication  
Site  
R
RE  
DE  
D
V
B
A
1
2
3
4
8
7
6
5
CC  
D
D
Extended Temperature Performance of  
−40°C to 125°C and −55°C to 125°C  
Enhanced Diminishing Manufacturing  
Sources (DMS) Support  
GND  
D
D
D
Enhanced Product Change Notification  
logic diagram (positive logic)  
†
Qualification Pedigree  
3
High-Speed Low-Power LinBiCMOS  
DE  
‡
Circuitry Designed for Signaling Rates Up  
4
to 30 Mbps  
D
2
D
D
Bus-Pin ESD Protection Exceeds 12-kV  
HBM  
RE  
6
7
A
B
1
Bus  
R
Compatible With ANSI Standard  
TIA/EIA-485-A and ISO 8482:1987(E)  
D
Low Skew  
Function Tables  
D
Designed for Multipoint Transmission on  
Long Bus Lines in Noisy Environments  
DRIVER  
INPUT  
D
H
L
X
ENABLE  
OUTPUTS  
D
D
Low Disabled Supply Current  
Requirements . . . 700 µA Maximum  
Common-Mode Voltage Range of −7 V  
to 12 V  
DE  
H
H
L
H
A
H
L
Z
H
B
L
H
Z
L
Open  
D
Thermal-Shutdown Protection  
D
Driver Positive and Negative Current  
Limiting  
RECEIVER  
DIFFERENTIAL INPUTS  
ENABLE  
OUTPUT  
D
D
D
D
Open-Circuit Fail-Safe Receiver Design  
Receiver Input Sensitivity . . . 200 mV Max  
Receiver Input Hysteresis . . . 50 mV Typ  
V
−V  
≥ 0.2 V  
ID  
≤ −0.2 V  
RE  
L
L
L
H
L
R
H
?
L
Z
H
A
B
V
ID  
−0.2 V < V < 0.2 V  
V
ID  
X
Glitch-Free Power-Up and Power-Down  
Protection  
Open  
†
‡
H = high level, L = low level, ? = indeterminate,  
X = irrelevant, Z = high impedance (off)  
Component qualification in accordance with JEDEC and industry  
standards to ensure reliable operation over an extended  
temperature range. This includes, but is not limited to, Highly  
Accelerated Stress Test (HAST) or biased 85/85, temperature  
cycle, autoclave or unbiased HAST, electromigration, bond  
intermetallic life, and mold compound life. Such qualification  
testing should not be viewed as justifying use of this component  
beyond specified performance and environmental limits.  
Signaling rate by TIA/EIA-485-A definition restrict transition times  
to 30% of the bit length, and much higher signaling rates may be  
achieved without this requirement as displayed in the TYPICAL  
CHARACTERISTICS of this device.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
LinBiCMOS and LinASIC are trademarks of Texas Instruments.  
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Copyright 2004, Texas Instruments Incorporated  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
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SN65LBC176AMDREP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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