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SN65HVD232QDR PDF预览

SN65HVD232QDR

更新时间： 2024-09-16 05:18:11
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 网络接口电信集成电路电信电路光电二极管信息通信管理
页数 文件大小 规格书
30页 485K
描述
3.3-V CAN TRANSCEIVERS

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SN65HVD232QDR 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.1
Is Samacsys：N数据速率：1000 Mbps
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
长度：4.9 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
收发器数量：1最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：Network Interfaces最大压摆率：0.017 mA
标称供电电压：3.3 V表面贴装：YES
技术：BICMOS电信集成电路类型：INTERFACE CIRCUIT
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3.91 mmBase Number Matches：1

SN65HVD232QDR 数据手册

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SN65HVD230Q-Q1  
SN65HVD231Q-Q1  
SN65HVD232Q-Q1  
SGLS117C – JUNE 2001 – REVISED JUNE 2002  
3.3-V CAN TRANSCEIVERS  
D
D
Low-Current SN65HVD231Q Sleep Mode  
0.1 µA Typical  
FEATURES  
†
D
D
D
Qualification in Accordance With AEC-Q100  
Qualified for Automotive Applications  
‡
Designed for Signaling Rates Up To  
1 Megabit/Second (Mbps)  
Customer-Specific Configuration Control Can  
Be Supported Along With Major-Change  
Approval  
D
Thermal Shutdown Protection  
Open-Circuit Fail-Safe Design  
D
D
ESD Protection Exceeds 2000 V Per  
MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 200 V  
Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0)  
SN65HVD230QD  
SN65HVD231QD  
(TOP VIEW)  
D
D
Operates With a 3.3-V Supply  
D
R
1
2
3
4
8
7
6
5
S
Low Power Replacement for the PCA82C250  
Footprint  
GND  
CANH  
CANL  
V
CC  
R
D
Bus/Pin ESD Protection Exceeds 15-kV HBM  
V
ref  
D
Controlled Driver Output Transition Times for  
Improved Signal Quality on the SN65HVD230Q  
and SN65HVD231Q  
SN65HVD232QD  
(TOP VIEW)  
D
D
D
Unpowered Node Does Not Disturb the Bus  
Compatible With the Requirements of the  
ISO 11898 Standard  
D
NC  
1
2
3
4
8
7
6
5
GND  
CANH  
CANL  
NC  
Low-Current SN65HVD230Q Standby Mode  
370 µA Typical  
V
CC  
R
†
Contact factory for details. Q100 qualification data available on  
request.  
NC – No internal connection  
logic diagram (positive logic)  
SN65HVD230Q, SN65HVD231Q  
Logic Diagram (Positive Logic)  
SN65HVD232Q  
Logic Diagram (Positive Logic)  
3
5
V
V
ref  
CC  
D
1
D
1
7
CANH  
CANL  
4
8
R
R
S
6
7
6
CANH  
CANL  
4
R
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas Instruments  
semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
‡
The signaling rate of a line is the number of voltage transitions that are made per second expressed in the units bps (bits per second).  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Copyright 2002, Texas Instruments Incorporated  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
www.ti.com  
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SN65HVD232QDR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SN65HVD232QDRQ1 TI

完全替代

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完全替代

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