是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.51 | 最大击穿电压: | 8 V |
最小击穿电压: | 6.5 V | 配置: | COMPLEX |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | MO-178AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 60 W | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.385 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SN65220DBVRG4 | TI |
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SN65220DBVR | TI |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SN65220DBVR | TI |
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SN65220DBVRG4 | TI |
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