5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 1.38 |
| Is Samacsys： | N | 系列： | S |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | 长度： | 19.56 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.06 A | 功能数量： | 4 |
| 输入次数： | 2 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出特性： | OPEN-COLLECTOR | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 包装方法： | TUBE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 最大电源电流（ICC）： | 80 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 10 ns | 传播延迟（tpd）： | 10 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 6.67 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JM38510/07002BCA | TI |
类似代替  |
具有集电极开路输出的军用 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 双极与非门 | J |
|
| SNJ54S132J | TI |
类似代替 |
QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND SCHMITT TRIGGERS |
|
| SN54S132J | TI |
类似代替 |
QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND SCHMITT TRIGGERS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SN54S38J-00 | TI |
获取价格 |
S SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14 |
|
| SN54S38N | TI |
获取价格 |
S SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDIP14, PLASTIC, DIP-14 |
|
| SN54S38W | TI |
获取价格 |
S SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDFP14, CERAMIC, FP-14 |
|
| SN54S38W-00 | TI |
获取价格 |
S SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDFP14 |
|
| SN54S38W-10 | TI |
获取价格 |
S SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDFP14 |
|
| SN54S40 | TI |
获取价格 |
DUAL 4-INPUT POSITIVE-NAND BUFFERS |
|
| SN54S40FK | TI |
获取价格 |
DUAL 4-INPUT POSITIVE-NAND BUFFERS |
|
| SN54S40J | TI |
获取价格 |
DUAL 4-INPUT POSITIVE-NAND BUFFERS |
|
| SN54S40W | TI |
获取价格 |
DUAL 4-INPUT POSITIVE-NAND BUFFERS |
|
| SN54S40W-10 | TI |
获取价格 |
S SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDFP14 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
