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SN54S133J

更新时间: 2024-11-05 22:53:35
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德州仪器 - TI 栅极逻辑集成电路输入元件
页数 文件大小 规格书
4页 119K
描述
13-INPUT POSITIVE-NAND GATES

SN54S133J 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:CERAMIC, DIP-16针数:16
Reach Compliance Code:not_compliantHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.52Is Samacsys:N
其他特性:LG_MAX系列:S
JESD-30 代码:R-CDIP-T16长度:19.56 mm
负载电容(CL):15 pF逻辑集成电路类型:NAND GATE
功能数量:1输入次数:13
端子数量:16最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
最大电源电流(ICC):10 mA传播延迟(tpd):7 ns
认证状态:Not Qualified施密特触发器:NO
座面最大高度:5.08 mm子类别:Gates
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

SN54S133J 数据手册

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SN54S133, SN74S133  
13-INPUT POSITIVE-NAND GATES  
SDLS202 – DECEMBER 1983 – REVISED MARCH 1988  
Copyright 1988, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 DALLAS, TEXAS 75265  

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