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SN54LS189AJ

更新时间: 2023-02-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 282K
描述
Memory Circuit

SN54LS189AJ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP,Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.91最长访问时间:90 ns
JESD-30 代码:R-XDIP-T16内存密度:64 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT内存宽度:4
功能数量:1端子数量:16
字数:16 words字数代码:16
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:16X4
输出特性:3-STATE封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

SN54LS189AJ 数据手册

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