SMV1229-001

更新时间： 2024-11-14 02:56:19

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ASI		二极管变容二极管光电二极管
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描述
SILICON HYPERABRUPT TUNING VARACTOR

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SMV1229-001 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	4.55%	最小二极管电容比：	1.8
标称二极管电容：	110 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	频带：	VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
最小质量因数：	80	最大重复峰值反向电压：	15 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
变容二极管分类：	HYPERABRUPT	Base Number Matches：	1

SMV1229-001 数据手册

SMV1229-001

SILICON HYPERABRUPT TUNING VARACTOR

PACKAGE STYLE SOT-23

DESCRIPTION:

The ASI SMV1229-001 is a Silicon

Hyperabrupt Tuning Varactor Diode

Designed for VHF Applications.

MAXIMUM RATINGS

I_F

V_R

40 mA

15 V

P_DISS

T_J

200 mW @ T_A= 25 °C

-55 °C to +175 °C

T_STG

PIN 1 = ANODE

PIN 2 = CATHODE

NONE

CHARACTERISTICS ^T_A^{= 25 °C}

SYMBOL

V_R

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_R= 10 µA

I_R

V_R= 10 V

100

C_T4

C_T8

V_R= 4.0 V

V_R= 8.0 V

f = 1.0 MHz

105

115

48.6

∆C_T

V_R= 4.0 to 8.0 V

V_R= 4.0V

f = 1.0 MHz

f = 50 MHz

1.8

2.8

RATIO

110

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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