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SMPJ112A

更新时间: 2024-11-27 16:56:23
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 145K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236

SMPJ112A 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.72
配置:SINGLE最大漏源导通电阻:50 Ω
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):5 pF
JEDEC-95代码:TO-236JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SMPJ112A 数据手册

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E-1  
Semiconductor Databook  
Section E  
Small Outline  
(Surface Mount)  
Package Devices  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  

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