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SMPJ112

更新时间: 2024-09-15 16:56:23
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 145K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236

SMPJ112 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.72配置:SINGLE
最大漏源导通电阻:50 ΩFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):5 pFJEDEC-95代码:TO-236
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SMPJ112 数据手册

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E-1  
Semiconductor Databook  
Section E  
Small Outline  
(Surface Mount)  
Package Devices  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  

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