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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.38 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | 最大漏源导通电阻： | 8 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMPJ10A | MDD |
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TRANSIENT VTAGE SUPPRESSOR |
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| SMPJ10CA | MDD |
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TRANSIENT VTAGE SUPPRESSOR |
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| SMPJ110A | INTERFET |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| SMPJ111 | INTERFET |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| SMPJ111A | INTERFET |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| SMPJ112 | INTERFET |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| SMPJ112A | INTERFET |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| SMPJ113A | INTERFET |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| SMPJ11A | MDD |
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TRANSIENT VTAGE SUPPRESSOR |
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| SMPJ11CA | MDD |
获取价格 |
TRANSIENT VTAGE SUPPRESSOR |
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