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SMP8.0A-M3/84A

更新时间： 2024-11-19 20:49:31

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威世 - VISHAY		局域网光电二极管电视
页数	文件大小	规格书
5页	96K
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DIODE 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-220AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Transient Suppressor

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SMP8.0A-M3/84A 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-220AA
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.76
最大击穿电压：	9.83 V	最小击穿电压：	8.89 V
击穿电压标称值：	9.36 V	外壳连接：	CATHODE
最大钳位电压：	13.6 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-220AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	8 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

SMP8.0A-M3/84A 数据手册

SMP3V3 thru SMP36A

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Surface Mount TRANSZORB

Transient Voltage Suppressors

FEATURES

eSMP^®Series

• Very low profile - typical height of 1.0 mm

• Ideal for automated placement

• Available in uni-directional

• 400 W peak pulse power capability with a

10/1000 μs waveform

• Excellent clamping capability

• Very fast response time

DO-220AA (SMP)

• Low incremental surge resistance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

260 °C

PRIMARY CHARACTERISTICS

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

V_BRuni-directional

4.10 V to 44.2 V

V_WM

3.3 V to 36 V

400 W

P_PPM

MECHANICAL DATA

I_FSM

40 A

Case: DO-220AA (SMP)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

T_Jmax.

Polarity

Package

150 °C

Uni-directional

DO-220AA (SMP)

Base P/N-M3

halogen-free, RoHS-compliant, and

commercial grade

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

TYPICAL APPLICATIONS

M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Use in sensitive electronics protection against voltage

transients induced by inductive load switching and lighting

on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer,

computer, industrial, and telecommunication.

Polarity: Color band denotes cathode end



MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Peak pulse power dissipation with a 10/1000 μs waveform (fig. 1) ⁽¹⁾⁽²⁾

Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform ⁽¹⁾

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave ⁽²⁾

Maximum instantaneous forward voltage at 25 A ⁽³⁾

P_PPM

I_PPM

I_FSM

V_F

400

See table next page

2.5

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

°C

Notes

(1)

Non-repetitive current pulse, per fig. 3 and derated above T_A= 25 °C per fig. 2

Mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pads to each terminal

Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle

(2)

(3)

Revision: 10-Dec-13

Document Number: 88481

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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