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SMP5460

更新时间： 2024-11-28 21:09:55
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 92K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236

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SMP5460 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84配置：SINGLE
最大漏源导通电阻：2000 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：2 pFJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SMP5460 数据手册

  
01/99  
B-21  
2N5460, 2N5461, 2N5462  
P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at 25¡C  
¥ Audio Amplifiers  
¥ General Purpose  
Amplifiers  
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage  
Continuous Forward Gate Current  
Continuous Device Power Dissipation  
Power Derating  
40 V  
– 10 mA  
310 mW  
2.8 mW/°C  
2N5460  
2N5461  
2N5462  
Process PJ32  
Test Conditions  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
Min Max Min Max Min Max Unit  
Gate Source Breakdown Voltage  
V
40  
40  
40  
V
nA  
µA  
V
I = 10µA, V = ØV  
G DS  
(BR)GSS  
5
1
5
1
5
1
9
V
= 20V, V = ØV  
DS  
GS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
V
= 20V, V = ØV  
DS  
T = 100°C  
A
GS  
Gate Source Cutoff Voltage  
V
0.75  
0.8  
6
1
7.5  
1.8  
V = – 15V, I = – 1 µA  
DS D  
GS(OFF)  
4.5  
V
V
= – 15V, I = – 100 µA  
D
DS  
Gate Source Voltage  
V
0.8  
– 2  
4.5  
– 9  
V
V
= – 15V, I = – 200 µA  
DS D  
GS  
1.5  
– 4  
6
V
V
= – 15V, I = – 400 µA  
D
DS  
Drain Saturation Current (Pulsed)  
I
– 1  
1
– 5  
– 16 mA  
V
= – 15V, V = ØV  
DSS  
DS GS  
Dynamic Electrical Characteristics  
Drain Source ON Resistance  
r
2
4
0.8  
5
0.4  
6
kΩ  
mS  
µS  
V
= ØV, I = Ø A  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 1 MHz  
ds(on)  
GS D  
Common Source Forward Transadmittance  
Common Source Output Admittance  
Common Source Input Capacitance  
| Y |  
fs  
1.5  
2
V
= – 15V, V = Ø V  
GS  
DS  
| Y  
os  
|
75  
7
75  
7
75  
7
V
= – 15V, V = Ø V  
GS  
DS  
C
pF  
V
= – 15V, V = ØV  
iss  
DS GS  
Common Source Reverse  
Transfer Capacitance  
C
2
2
2
pF  
dB  
V
= – 15V, V = ØV  
f = 1 MHz  
rss  
DS GS  
Equivalent Short Circuit  
Input Noise Voltage  
f = 100 Hz,  
BW = 1 Hz  
e¯  
2.5  
115  
2.5  
115  
2.5  
115  
V
= – 15V, V = ØV  
GS  
N
DS  
V
= – 15V, V = ØV,  
GS  
DS  
nV/√Hz  
Noise Figure  
NF  
f = 100 Hz  
R = 1MΩ  
G
TOÐ226AA Package  
Dimensions in Inches (mm)  
Surface Mount  
SMP5460, SMP5461, SMP5462  
Pin Configuration  
1 Drain, 2 Source, 3 Gate  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMP5461 INTERFET

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236
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