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SMP5116

更新时间： 2024-11-28 20:04:47
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 65K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236

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SMP5116 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.75配置：SINGLE
最大漏源导通电阻：150 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：7 pFJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SMP5116 数据手册

  
B-44  
01/99  
IFN5114, IFN5115, IFN5116  
P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ Analog Switches  
A
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage  
– 50 V  
50 mA  
500 mW  
Continuous Forward Gate Current  
Continuous Device Power Dissipation  
Power Derating  
4 mW/°C  
Storage Temperature Range  
– 65°C to 200°C  
IFN5114  
IFN5115  
IFN5116  
Process PJ99  
Test Conditions  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
Min Max Min Max Min Max Unit  
Gate Source Breakdown Voltage  
V
30  
5
30  
3
30  
1
V
nA  
µA  
V
I = – 1mA, V = ØV  
G DS  
(BR)GSS  
2
2
10  
6
2
10  
4
V
= 20V, V = ØV  
DS  
GS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
10  
10  
– 1  
V
= 20V, V = ØV  
DS  
T = 150°C  
A
GS  
Gate Source Cutoff Voltage  
Gate Source Forward Voltage  
V
V = – 15V, I = – 1 nA  
DS G  
GS(OFF)  
V
– 1  
– 1  
V
V
= ØV, I = – 1 mA  
GS(F)  
DS G  
– 30 – 90  
mA  
V
= – 15V, V = 18V  
GS  
DS  
Drain Saturation Current (Pulsed)  
Drain Cutoff Current  
I
DSS  
– 15 – 60 – 5 – 25 mA  
V
= – 15V, V = 15V  
GS  
DS  
– 2  
– 2  
– 2  
nA  
µA  
V
V
= – 15V, V = 12V  
GS  
DS  
I
D(OFF)  
– 10  
– 1.3  
– 10  
– 10  
V
= – 15V, V = 7V  
GS  
T = 150°C  
A
DS  
V
= ØV, I = – 15 mA  
D
GS  
Drain Source ON Voltage  
V
– 0.8  
100  
V
V
= ØV, I = – 7 mA  
GS D  
DS(ON)  
– 0.6  
150  
V
V
= ØV, I = – 3 mA  
D
GS  
Static Drain Source ON Resistance  
r
75  
Ω
V
= ØV, I = – 1 mA  
DS(ON)  
GS D  
Dynamic Electrical Characteristics  
Drain Source ON Resistance  
r
75  
25  
7
100  
25  
150  
27  
Ω
V
= ØV, I = ØA  
D
f = 1 kHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
ds(on)  
GS  
Common Source Input Capacitance  
C
pF  
pF  
pF  
pF  
V =– 15V, V = ØV  
DS GS  
iss  
V
= – 10V, V = 12V  
GS  
DS  
Common Source Reverse  
Transfer Capacitance  
C
7
V = – 10V, V = 7 V  
DS GS  
rss  
7
V
= – 10V, V = 5V  
GS  
DS  
Switching Characteristics  
Turn ON Delay Time  
Rise Time  
IFN5114 IFN5115 IFN5116  
– 10 – 6 – 6  
20 12  
V
V
V
DD  
t
t
t
t
6
10  
6
10  
20  
8
25  
35  
20  
60  
ns  
ns  
ns  
ns  
d(on)  
V
8
GG  
r
R
130  
100  
910  
220  
– 7  
2000  
390  
– 3  
Ω
L
Turn OFF Delay Time  
Fall Time  
d(off)  
f
R
Ω
G
15  
30  
I
– 15  
mA  
D(ON)  
TOÐ18 Package  
See Section G for Outline Dimensions  
Surface Mount  
SMP5114, SMP5115, SMP5116  
Pin Configuration  
1 Source 1, 2 Gate & Case, 3 Drain  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
1

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