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SMLJ36

更新时间: 2024-10-04 22:50:15
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 143K
描述
UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT

SMLJ36 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-214AB包装说明:R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.29Is Samacsys:N
最大击穿电压:48.9 V最小击穿电压:40 V
击穿电压标称值:44.5 V最大钳位电压:64.3 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AB
JESD-30 代码:R-PDSO-C2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:3000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.61 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:36 V最大反向电流:5 µA
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SMLJ36 数据手册

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