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SMLJ30TR

更新时间: 2024-10-05 13:13:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 143K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2

SMLJ30TR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-214AB包装说明:PLASTIC PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.22最大击穿电压:40.7 V
最小击穿电压:33.3 V击穿电压标称值:37 V
最大钳位电压:53.5 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214ABJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:3000 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.61 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SMLJ30TR 数据手册

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