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SML200HB12

更新时间： 2024-01-10 00:47:35

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SEME-LAB		半导体
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7页	179K
描述
HIGH PERFORMANCE POWER SEMICONDUCTORS

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SML200HB12 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MUFM-X9
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
其他特性：	HIGH REALIBILITY	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	295 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-MUFM-X9
元件数量：	2	端子数量：	9
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	830 ns	标称接通时间 (ton)：	400 ns
Base Number Matches：	1

SML200HB12 数据手册

SML200HB12

Attributes:

-Aerospace build standard

-High reliability

-Lightweight

-Metal matrix base plate

-AlN isolation

-Trench gate igbts

Maximum rated values/Electrical Properties

Collector-emitter Voltage

V_ce

1200

DC Collector Current

Tc=70C, Tvj=175C

Tc=25C,Tvj=175C

I_c, nom

200

295

Repetitive peak Collector Current

tp=1msec,Tc=80C

I_crm

400

Total Power Dissipation

Gate-emitter peak voltage

Tc=25C

P_tot

2380

V_ges

I_f

+/-20

200

DC Forward Diode

Current

Repetitive Peak

Forward Current

tp=1msec

I_frm

400

I²t value per diode

Vr=0V, tp=10msec,

Tvj=125C

I²

7800

2500

A²sec

Isolation voltage

RMS, 50Hz, t=1min

V_isol

Collector-emitter saturation

voltage

Ic=200A,Vge=15V, Tc=25C

Ic=200A,Vge=15V,Tc=125C

1.7 2.15

2.0

V_ce(sat)

Gate Threshold voltage

Input capacitance

Ic=8mA,Vce=Vge, Tvj=25C

Vge_(th)5.0 5.8

6.5

f=1MHz,Tvj=25C,Vce=25V,

Vge=0V

C_ies

C_res

I_ces

0.5

Reverse transfer Capacitance f=1MHz,Tvj=25C,Vce=25V,

Vge=0V

Collector emitter cut off

current

Vce=1200V,Vge=0V,Tvj=25C

Gate emitter cut off current

Vce=0V,Vge=20V,Tvj=25C

I_ges

400

12 3 4 5 6 7

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