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SMK0170I

更新时间： 2024-11-26 09:18:59

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可天士 - KODENSHI		稳压器开关
页数	文件大小	规格书
8页	349K
描述
SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS

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SMK0170I 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.72	雪崩能效等级（Eas）：	17 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	700 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SMK0170I 数据手册

SMK0170I

Advanced N-Ch Power MOSFET

SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS

Features

PIN Connection

 High Voltage : BV_DSS=700V(Min.)

 Low C_rss: C_rss=2.6pF(Typ.)

 Low gate charge : Qg=4.1nC(Typ.)

 Low R_DS(ON): R_DS(ON)=15Ω(Max.)

Ordering Information

Type No.

Marking

Package Code

SMK0170I

SMK0170

I-PAK

Marking Diagram

Column 1 : Device Code

SMK0170

YWW

Column 2 : Production Information

e.g.) YWW

-. Y : Year Code

-. WW : Week Code

Absolute maximum ratings (T_C=25C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Rating

700

30

1.0

Unit

Drain-source voltage

V_DSS

Gate-source voltage

Drain current (DC) ^*

V_GSS

(T_C=25℃)

I_D

(T_C=100℃)

0.63

4.0

Drain current (Pulsed) ^*

I_DP

P_D

Total Power dissipation

Avalanche current (Single)

Single pulsed avalanche energy

Avalanche current (Repetitive)

Repetitive avalanche energy

Junction temperature

②

①

I_AS

E_AS

I_AR

E_AR

T_J

1.0

0.5

150

C

Storage temperature range

* Limited by maximum junction temperature

T_stg

-55~150

Characteristic

Symbol

R_th(J-C)

R_th(J-A)

Typ.

Max.

4.46

62.5

Unit

Junction-case

Thermal

resistance*

℃/W

Junction-ambient

KSD-T6Q007-000

12 3 4 5 6 7 8

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