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SMJ55161-70HKCM

更新时间： 2024-09-08 15:51:51

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
61页	1935K
描述
256KX16 VIDEO DRAM, 70ns, CDFP64, CERAMIC, DFP-64

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SMJ55161-70HKCM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFP
包装说明：	GDFP, TPAK64,1.6SQ,20	针数：	64
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.79
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 256 X 16 SAM PORT	JESD-30 代码：	R-CDFP-F64
长度：	18.985 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	VIDEO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	64	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	GDFP
封装等效代码：	TPAK64,1.6SQ,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, GUARD RING	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	3.81 mm	最大待机电流：	0.012 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.985 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMJ55161AGB-70	MICROSS	获取价格	Memory Circuit, 256KX16, PPGA68
SMJ55161AGB-80	MICROSS	获取价格	Memory Circuit, 256KX16, PPGA68
SMJ55161AHKC-70	MICROSS	获取价格	Memory Circuit, 256KX16, CQFP64
SMJ55161AHKC-75	MICROSS	获取价格	Memory Circuit, 256KX16, CQFP64
SMJ55165-80HKCM	TI	获取价格	256KX16 VIDEO DRAM, 80ns, CDFP64, 0.50 MM FINE PITCH, CERAMIC, FP-64
SMJ55166	TI	获取价格	262144 BY 16-BIT MULTIPORT VIDEO RAM
SMJ55166-70GB	TI	获取价格	256KX16 VIDEO DRAM, 70ns, CPGA68
SMJ55166-70HKC	TI	获取价格	256KX16 VIDEO DRAM, 70ns, CDFP64
SMJ55166-75GBM	TI	获取价格	256KX16 VIDEO DRAM, 75ns, CPGA68, CERAMIC, PGA-68
SMJ55166-75HKCM	TI	获取价格	256KX16 VIDEO DRAM, 75ns, CDFP64, CERAMIC, DFP-64