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SMJ44100-12HJM

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	603K
描述
4MX1 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDSO20, CERAMIC, SOJ-20

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SMJ44100-12HJM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ20/26,.34	针数：	20
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.83
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-CDSO-J20	长度：	17.145 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	4MX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ20/26,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	3.56 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8.382 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMJ44100-12HLM	TI	获取价格	4MX1 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDSO20, 0.350 X 0.675 INCH, CERAMIC, LCC-26/20
SMJ44100-12HMM	TI	获取价格	4MX1 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDSO20, 0.400 INCH, CERAMIC, SOLCC-26/20
SMJ44100-12JDM	ETC	获取价格	x1 Fast Page Mode DRAM
SMJ44100-15HMM	TI	获取价格	4MX1 FAST PAGE DRAM, 150ns, CDSO20, CERAMIC, LCC-20
SMJ44100-15JDM	TI	获取价格	4MX1 FAST PAGE DRAM, 150ns, CDIP18, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP
SMJ44100-80HJM	TI	获取价格	4MX1 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDSO20, CERAMIC, SOJ-20
SMJ44100-80HLM	TI	获取价格	4MX1 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDSO20, 0.350 X 0.675 INCH, CERAMIC, LCC-26/20
SMJ44100-80HMM	TI	获取价格	4MX1 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDSO20, 0.400 INCH, CERAMIC, SOLCC-26/20
SMJ44100-80HMM	ROCHESTER	获取价格	4MX1 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDSO20, 0.400 INCH, CERAMIC, SOLCC-26/20
SMJ44100-80HRM	TI	获取价格	4MX1 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDFP20, CERAMIC, DFP-20