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SMJ4164-12JDS

更新时间： 2024-02-25 02:34:05

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	915K
描述
Page Mode DRAM, 64KX1, 120ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16

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SMJ4164-12JDS 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	DIP,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.66
访问模式：	PAGE	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	RAS ONLY REFRESH	JESD-30 代码：	R-CDIP-T16
JESD-609代码：	e0	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	PAGE MODE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	16	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	110 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	64KX1	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	座面最大高度：	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	NMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SMJ4164-15FGE	ETC	x1 Page Mode DRAM	获取价格
SMJ4164-15FGM	ROCHESTER	Fast Page DRAM	获取价格
SMJ4164-15JDE	ROCHESTER	Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, CERA	获取价格
SMJ4164-15JDL	ETC	x1 Page Mode DRAM	获取价格
SMJ4164-15JDS	ROCHESTER	Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERA	获取价格
SMJ4164-20FGE	ETC	x1 Page Mode DRAM	获取价格