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SMJ28F010B-20JDDM

更新时间： 2024-11-07 19:35:03
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 330K
描述
128KX8 FLASH 12V PROM, 200ns, CDIP32, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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SMJ28F010B-20JDDM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP32,.6
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.67最长访问时间：200 ns
其他特性：10000 PROGRAM/ ERASE CYCLE命令用户界面：YES
数据轮询：NO耐久性：10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-CDIP-T32长度：40.64 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP32,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：12 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：38535Q/M;38534H;883B座面最大高度：4.57 mm
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

SMJ28F010B-20JDDM 数据手册

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SMJ28F010B  
131072 BY 8-BIT  
FLASH MEMORY  
SGMS738 – APRIL 1998  
JDD or FE PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Organization . . . 131072 × 8-Bit Flash  
Memory  
Pin Compatible With Existing 1M-bit  
EPROMs  
V
V
CC  
W
1
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
PP  
A16  
A15  
A12  
A7  
2
High-Reliability MIL-PRF-38535 Processing  
NC  
A14  
A13  
A8  
A9  
A11  
G
3
V
Tolerance ±10%  
CC  
4
All Inputs/Outputs TTL Compatible  
5
Maximum Access/Minimum Cycle Time  
A6  
6
28F010B-12  
’28F010B-15  
’28F010B-20  
120 ns  
150 ns  
200 ns  
A5  
7
A4  
8
A3  
9
A2  
A10  
E
10  
11  
Industry-Standard Programming Algorithm  
10000 Program/Erase-Cycle  
A1  
21 DQ7  
20 DQ6  
19 DQ5  
A0 12  
DQ0 13  
DQ1 14  
Latchup Immunity of 250 mA on All Input  
and Output Lines  
Low Power Dissipation (V  
–Active Write . . . 55 mW  
–Active Read . . . 165 mW  
= 5.5 V)  
CC  
15  
16  
18  
17  
DQ2  
DQ4  
DQ3  
V
SS  
–Electrical Erase . . . 82.5 mW  
–Standby . . . 0.55 mW  
(CMOS-Input Levels)  
PIN NOMENCLATURE  
A0–A16  
Address Inputs  
Military Temperature Range  
DQ0–DQ7  
Inputs (programming)/Outputs  
Chip Enable  
– 55°C to 125°C  
E
G
Output Enable  
NC  
No Internal Connection  
5-V Power Supply  
12-V Power Supply  
Ground  
V
CC  
PP  
SS  
V
V
W
Write Enable  
description  
The SMJ28F010B is a 1048576-bit, programmable read-only memory that can be electrically bulk-erased and  
reprogrammed. It is available in 10000 program/erase-endurance-cycle version.  
The SMJ28F010B flash memory is offered in a 32-lead ceramic 600-mil side-braze dual in-line package (DIP)  
(JDD suffix) and a leadless ceramic chip carrier (FE suffix).  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
Copyright 1998, Texas Instruments Incorporated  
On products compliant to MIL-PRF-38535, all parameters are tested  
unless otherwise noted. On all other products, production  
processing does not necessarily include testing of all parameters.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...23

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与SMJ28F010B-20JDDM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMJ29F816FGM TI

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