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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> SMG3D60D
SMG3D60D PDF预览

SMG3D60D

更新时间： 2024-10-31 22:21:39
品牌 Logo 应用领域
SANREX 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
3页 468K
描述
THYRISTOR(Surface Mount Device/Non-isolated)

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SMG3D60D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
Is Samacsys：N最大直流栅极触发电流：0.2 mA
最大直流栅极触发电压：0.8 V最大漏电流：1 mA
通态非重复峰值电流：50 A最大通态电流：3000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
断态重复峰值电压：600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SMG3D60D 数据手册

 浏览型号SMG3D60D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SMG3D60D的Datasheet PDF文件第3页 
(
)
THYRISTOR Surface Mount Device/Non-isolated  
SMG3D60D  
(
)
Sensitive Gate  
Thyristor SMG3D60D is designed for full wave AC control applications.  
TO-252  
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.  
（5.34）  
（0.9）  
Typical Applications  
6.60ꢀ±0.20  
5.34ꢀ±0.30  
2.30ꢀ±0.10  
0.50ꢀ±0.10  
●
Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications  
TC POINT  
2
2
●
Industrial Use  
: SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater  
Controls, other control applications  
1
2
3
1
2
Features  
3
●
●
●
●
IT(AV)=3A  
0.96ꢀ±0.20  
0.76ꢀ±0.20  
2.30ꢀ±0.20  
0.50ꢀ±0.10  
1.02ꢀ±0.20  
High Surge Current  
Low Voltage Drop  
Lead-Free Package  
2.30ꢀ±0.20  
2.30ꢀ±0.20  
1 K  
2 A  
3 Gate  
Unit：mm  
Identifying Code：S3D6D  
■Maximum Ratings  
（Tj=25℃ unless otherwise specified）  
Symbol  
Item  
Reference  
Ratings  
600  
720  
600  
3
Unit  
V
VRRM  
VRSM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
Average On-State Current  
R.M.S. On-State Current  
Surge On-State Current  
V
VDRM  
IT（AV）  
IT（RMS）  
ITSM  
V
A
Single phase, half wave, 180°, conduction, Tc＝108℃  
Single phase, half wave, 180°, conduction, Tc＝108℃  
50Hz/60Hz, 1／ cycle Peak value, non-repetitive  
4.7  
A
A
50 55  
/
2
2
2
2
I t  
I t  
12.5  
A S  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
0.5  
W
W
A
G（AV）  
P
0.1  
IFGM  
VFGM  
VRGM  
Tj  
0.3  
6
V
Peak Gate Voltage（Forward）  
Peak Gate Voltage（Reverse）  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
6
V
－40～＋125  
－40～＋150  
0.32  
℃
℃
g
Tstg  
Mass  
■Electrical Characteristics  
Ratings  
Symbol  
Item  
Reference  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
1
IDRM  
IRRM  
VTM  
IGT  
Repetitive Peak Off-State Current  
Repetitive Peak Reverse Current  
Peak On-State Voltage  
Gate Trigger Current  
Gate Trigger Voltage  
Non-Trigger Gate Voltage  
Holding Current  
mA  
mA  
V
Tj＝125℃, VD  
＝
VDRM  
,
RGK＝220  
Ω
Ω
1
Tj＝125℃, VR  
＝
VRRM, RGK＝220  
1.5  
200  
0.8  
IT＝9A  
,
Inst. measurement  
1
μA  
V
VD＝6  
V
, RL＝10Ω  
VGT  
VGD  
IH  
1
0.1  
V
Tj＝125℃, VD  
RGK＝220  
Junction to case  
＝
／VDRM  
,
RGK＝220Ω  
2
3.5  
mA  
Ω
（
）
Rth j-c  
Thermal Resistance  
3.8  
℃ W  
/
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com  
123

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