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SMCJ26CA-Q PDF预览

SMCJ26CA-Q

更新时间： 2024-02-09 00:33:11
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 局域网测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 352K
描述
Transient Voltage Suppressor Diode Series

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SMCJ26CA-Q 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMC, 2 PINReach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：1.56
其他特性：PRSM-MIN, UL RECOGNIZED最大击穿电压：31.9 V
最小击穿电压：28.9 V击穿电压标称值：30.4 V
最大钳位电压：54.7 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214ABJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：BIDIRECTIONAL
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：26 V
最大反向电流：1 µA反向测试电压：26 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

SMCJ26CA-Q 数据手册

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Features  
Applications  
nꢀ SurfaceꢀMountꢀSMCꢀpackage  
nꢀꢀStandoffꢀVoltage:ꢀ12ꢀtoꢀ58ꢀvolts  
nꢀ PowerꢀDissipation:ꢀ1500ꢀwatts  
nꢀ RoHSꢀcompliant*  
nꢀ Protectionꢀofꢀpowerꢀbuses  
nꢀꢀProtectionꢀofꢀI/Oꢀinterfaces  
nꢀ Overvoltageꢀtransientꢀprotection  
nꢀ Automotiveꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀꢀꢀꢀꢀ–ꢀEntertainmentꢀapplicationsꢀ  
ꢀꢀꢀꢀꢀ–ꢀComfortꢀapplications  
nꢀ AEC-Q101ꢀcompliant**  
nꢀ Telecom,ꢀcomputer,ꢀindustrialꢀandꢀꢀ  
ꢀ
consumerꢀelectronicsꢀapplications  
SMCJ-QꢀTransientꢀVoltageꢀSuppressorꢀDiodeꢀSeriesꢀ  
General Information  
Bourns offers Transient Voltage Suppressor Diodes for surge and ESD protection applications, in compact chip package DO-214AB (SMC)  
size format. The Transient Voltage Suppressor series offers a choice of Working Peak Reverse Voltage from 12 V up to 58 V. Typical fast  
response times are less than 1.0 picosecond from 0 V to Breakdown Voltage.  
Bourns® Chip Diodes conform to JEDEC standards, are easy to handle with standard pick and place equipment and their flat configuration  
minimizes roll away.  
Electrical Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
(Note 1,2)  
Minimum Peak Pulse Power Dissipation (T = 1 ms)  
P
P
1500  
Watts  
PK  
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms Single Half Sine Wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
I
200  
Amps  
FSM  
(Note 3)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
-55 to +150  
-55 to +150  
°C  
°C  
J
T
STG  
1. Non-repetitive current pulse, per Pulse Waveform graph and derated above T = 25 °C per Pulse Derating Curve.  
A
2
2. Mounted on 5.0 mm (0.03 mm thick) copper pads to each terminal.  
3. 8.3 ms Single Half-Sine Wave duty cycle = 4 pulses maximum per minute (unidirectional units only).  
Asia-Pacific: Tel: +886-2 2562-4117 • Email: asiacus@bourns.com  
EMEA: Tel: +36 88 520 390 • Email: eurocus@bourns.com  
The Americas: Tel: +1-951 781-5500 • Email: americus@bourns.com  
www.bourns.com  
*RoHSꢀDirectiveꢀ2002/95/ECꢀJan.ꢀ27,ꢀ2003ꢀincludingꢀannexꢀandꢀRoHSꢀRecastꢀ2011/65/EUꢀJuneꢀ8,ꢀ2011.ꢀ  
**”Q”ꢀpartꢀnumberꢀsuffixꢀindicatesꢀAEC-Q101ꢀcompliance.  
Specificationsꢀareꢀsubjectꢀtoꢀchangeꢀwithoutꢀnotice.  
Theꢀdeviceꢀcharacteristicsꢀandꢀparametersꢀinꢀthisꢀdataꢀsheetꢀcanꢀandꢀdoꢀvaryꢀinꢀdifferentꢀapplicationsꢀandꢀactualꢀdeviceꢀperformanceꢀmayꢀvaryꢀoverꢀtime.  
Usersꢀshouldꢀverifyꢀactualꢀdeviceꢀperformanceꢀinꢀtheirꢀspecificꢀapplications.  
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与SMCJ26CA-Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMCJ26CA-T3 SENSITRON

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 26V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMCJ26CA-TP MCC

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 		Transient Voltage Suppressor 5.0 to 440 Volts 1500 Watt
SMCJ26CATR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 26V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMCJ26CA-TR STMICROELECTRONICS

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 		TRANSILTM
SMCJ26CATRE3 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 26V V(RWM), Bidirectional
SMCJ26CA-W RECTRON

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SMCJ26CE3/TR13 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 26V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMCJ26C-E31T VISHAY

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 		Surface Mount TRANSZORB Transient Voltage Suppressors

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