SMCJ12A-TR

更新时间： 2024-11-01 04:51:35

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	78K
描述
TRANSILTM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMCJ12A-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-214AB	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.16	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	13.3 V	最大钳位电压：	25.3 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	6.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	12 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

SMCJ12A-TR 数据手册

SMCJ5.0A-TR,CA-TR

SMCJ188A-TR,CA-TR

TRANSIL^TM

FEATURES

PEAK PULSE POWER : 1500 W (10/1000µs)

STAND OFF VOLTAGE RANGE :

From 5V to 188V.

UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES

LOW CLAMPING FACTOR

FAST RESPONSE TIME

DESCRIPTION

The SMCJ series are TRANSIL^TMdiodes designed

specifically for protecting sensitive equipment

against transient overvoltages.

Transil diodes provide high overvoltage protection

by clamping action. Their instantaneous response

to transient overvoltages makes them particularly

suited to protect voltage sensitive devices such

as MOS Technology and low voltage supplied

IC’s.

SMC

(JEDEC DO-214AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25°C)

Symbol

P_PP

Parameter

Peak pulse power dissipation (see note 1)

Power dissipation on infinite heatsink

Value

1500

6.5

Unit

Tj initial = T_amb

_{amb = 50}°C

I_FSM

Non repetitive surge peak forward

current for unidirectional types

tp = 10ms

Tj initial = T_amb

200

Storage temperature range

Maximum junction temperature

T_stg

T_j

- 65 to + 175

150

°C

T_L

Maximum lead temperature for soldering during 10 s.

260

°C

Note 1 : For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.

THERMAL RESISTANCES

Symbol

R_{th (j-l)}

Parameter

Value

Unit

°C/W

Junction to leads

R_{th (j-a)}

Junction to ambient on printed circuit on recommended pad

layout

August 1999 - Ed: 5A

1/5

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

SMCJ12A-TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SMCJ12A-E3/57T	VISHAY	功能相似	TVS DIODE 12V 19.9V DO214AB
SMCJ12A	BOURNS	功能相似	SMCJ Transient Voltage Suppressor Diode Series
SMCJ12A	LITTELFUSE	功能相似	Silicon Avalanche Diodes - 1500W Surface Mount Transient Voltage Supressors

与SMCJ12A-TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMCJ12ATRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Unidirectional
SMCJ12C	HY	获取价格	SURFACE MOUNT UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
SMCJ12C	UNSEMI	获取价格	Surface Mount Transient Voltage Suppressors (TVS)
SMCJ12C	SOCAY	获取价格	Surface Mount Transient Voltage Suppressors (TVS)
SMCJ12C	SEMITECH	获取价格	Low profile package
SMCJ12C	FORMOSA	获取价格	SMD Transient Voltage Suppressor
SMCJ12C	LGE	获取价格	Surface Mount TVS
SMCJ12C	MICROSEMI	获取价格	SURFACE MOUNT 1500 Watt Transient Voltage Suppressor
SMCJ12C	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMCJ12C	DAESAN	获取价格	POWER 1500Watts VOLTAGE 5.0 to 188 Volts

与SMCJ12A-TR相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMCJ12A-TR

SMCJ12A-TR 技术参数

SMCJ12A-TR 数据手册

SMCJ12A-TR 替代型号

与SMCJ12A-TR相关器件

与SMCJ12A-TR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMCJ12A-TR

SMCJ12A-TR 技术参数

SMCJ12A-TR 数据手册

SMCJ12A-TR 替代型号

与SMCJ12A-TR相关器件

与SMCJ12A-TR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？