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SMCJ10C.TB

更新时间: 2023-08-15 00:00:00
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商升特 - SEMTECH 二极管瞬态抑制器
页数 文件大小 规格书
4页 345K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB

SMCJ10C.TB 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-214AB
包装说明:R-PDSO-C2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.61
Is Samacsys:N最大击穿电压:149 V
最小击穿电压:122 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214ABJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e3最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):265
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:110 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SMCJ10C.TB 数据手册

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