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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.08 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW INDUCTANCE |
| 最大击穿电压： | 10.23 V | 最小击穿电压： | 8.89 V |
| 击穿电压标称值： | 9.56 V | 最大钳位电压： | 13.6 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-214AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 8 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBJ8.0CA-T3 | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214 |
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| SMBJ8.0CA-TP | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214 |
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| SMBJ8.0CATR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| SMBJ8.0CD-M3/H | VISHAY |
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TVS DIODE 8V 13.4V DO214AA |
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| SMBJ8.0CD-M3/I | VISHAY |
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TVS DIODE 8V 13.4V DO214AA |
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| SMBJ8.0C-E3/51 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214 |
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| SMBJ8.0C-E3/52 | VISHAY |
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TVS DIODE 8V 15V DO214AA |
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| SMBJ8.0C-E3/5B | VISHAY |
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TVS DIODE 8V 15V DO214AA |
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| SMBJ8.0CE3/TR7 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214 |
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| SMBJ8.0C-G | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214 |
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