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SMBJ7.0C

更新时间： 2024-02-28 18:22:14
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4页 709K
描述
POWER 600Watts VOLTAGE 5.0 to 188 Volts

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SMBJ7.0C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-214AA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.33
其他特性：UL RECOGNIZED最大击穿电压：9.86 V
最小击穿电压：7.78 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：600 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：7 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

SMBJ7.0C 数据手册

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POWER 600Watts  
VOLTAGE 5.0 to 188 Volts  
SMBJ5.0 THRU SMBJ188CA  
Features  
· Underwriters Laboratory recognition under UL standard  
for safety 497B : Isolated loop curcuit protection  
· Low profile package with built-in strain relief for surface  
mounted applications  
DO-214AA (SMB)  
· Glass passivated junction  
· Low incremental surge resistance, excellent clamping  
capability  
· 600W peak pulse power capability with a 10/1000μS  
waveform, repetition rate(duty cycle) : 0.01%  
· Very fast response time  
0.083(2.11)  
0.075(1.91)  
0.155(3.94)  
0.130(3.30)  
0.185(4.70)  
0.160(4.06)  
· High temperature soldering guaranteed : 250℃/10 seconds  
at terminals  
0.012(0.31)  
0.006(0.15)  
0.096(2.44)  
0.083(2.13)  
Mechanical Data  
· Case : JEDEC DO-214AA(SMB) molded plastic  
over passivated chip  
· Terminals : Solder plated , solderable per  
MIL-STD-750, method 2026  
0.008(0.203)  
MAX.  
0.050(1.27)  
0.030(0.76)  
0.220(5.59)  
0.200(5.08)  
· Polarity : For uni-directional types the band denotes  
the cathode, which is positive with respect to the  
anode under normal TVS operation  
· Mounting Position : Any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
· Weight : 0.003 ounce, 0.093 gram  
Devices For Bidirectional Applications  
· For bi-directional devices, use suffix C or CA (e.g. SMBJ10C, SMBJ10CA).  
Electrical characteristics apply in both directions.  
Maximum Ratings And Electrical Characteristics  
(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified)  
Symbols  
Values  
Units  
Peak pulse power dissipation with a 10/1000μS waveform (Note 1,2. Fig. 1)  
P
PPM  
Minimum 600  
Watts  
Peak pulse current with a waveform (Note 1)  
I
PPM  
See next table  
100  
Amps  
Amps  
Peak forward surge current, 8.3mm single half sine-wave unidirectional only (Note 2)  
I
FSM  
Typical thermal resistance, junction to ambient (Note 3)  
Typical thermal resistance, junction to lead  
℃/W  
℃/W  
℃
RθJA  
RθJL  
100  
20  
Operating junction and storage temperature range  
TJ  
,TSTG  
-55 to +150  
Notes:  
(1) Non repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above TA=25℃ per Fig.2  
(2) Mounted on 0.2×0.2"(5.0×5.0mm) copper pads to each terminal  
(3) Mounted on minimum recommended pad layout  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMBJ7.0C/TR MICROSEMI

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SMBJ7.0C-51 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214
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