SMBJ60CTR

更新时间： 2024-09-26 13:13:39

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美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
3页	143K
描述
600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2

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SMBJ60CTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.08	最大击穿电压：	81.5 V
最小击穿电压：	66.7 V	击穿电压标称值：	74.1 V
最大钳位电压：	107 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.38 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	60 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin/Lead (Sn90Pb10)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBJ60CTRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 60V V(RWM), Bidirectional,
SMBJ60D / CD	SWST	获取价格	瞬态电压抑制管
SMBJ60D-M3/H	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 60V 95.5V DO214AA
SMBJ60-E3/52	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 60V 107V DO214AA
SMBJ60-E3/5B	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 60V 107V DO214AA
SMBJ60E3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 60V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ60E3/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 60V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ60E3/TR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 60V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ60HE3/52	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 60V V(RWM), Unidirectional,
SMBJ60HE3/5B	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 60V 107V DO214AA