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SMBJ60C.TF

更新时间: 2024-09-20 07:22:11
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商升特 - SEMTECH 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 327K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,

SMBJ60C.TF 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.63最小击穿电压:66.7 V
最大钳位电压:107 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:5 µA
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:C BEND端子位置:DUAL

SMBJ60C.TF 数据手册

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