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SMBJ60C

更新时间: 2024-11-29 20:28:59
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2页 226K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,

SMBJ60C 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.09
Is Samacsys:N其他特性:LOW IMPEDANCE
最小击穿电压:66.7 V最大钳位电压:107 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:5 µA表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

SMBJ60C 数据手册

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