是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DO-214AA | 包装说明: | R-PDSO-C2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.62 | 最大击穿电压: | 8.82 V |
最小击穿电压: | 7.22 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-214AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 265 |
极性: | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 5 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMBJ6.5D / CD | SWST |
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瞬态电压抑制管 | |
SMBJ6.5D-M3/H | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- | |
SMBJ6.5-E3/52 | VISHAY |
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TVS DIODE 6.5V 12.3V DO214AA | |
SMBJ6.5-E3/5B | VISHAY |
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TVS DIODE 6.5V 12.3V DO214AA | |
SMBJ6.5E3/TR13 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- | |
SMBJ6.5-GT3 | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- | |
SMBJ6.5HE3/52 | VISHAY |
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TVS DIODE 6.5V 12.3V DO214AA | |
SMBJ6.5HE3/5B | VISHAY |
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TVS DIODE 6.5V 12.3V DO214AA | |
SMBJ6.5-M3/52 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- | |
SMBJ6.5-M3/5B | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |