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SMBJ58AT3

更新时间: 2023-02-26 14:48:22
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力特 - LITTELFUSE /
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3页 456K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,

SMBJ58AT3 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.09
其他特性:UL RECOGNIZED最大击穿电压:74.1 V
最小击穿电压:64.4 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.5 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

SMBJ58AT3 数据手册

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