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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | ![]() |
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页数 | 文件大小 | 规格书 |
10页 | 133K | ![]() |
描述 | ||
Stand off voltage range: from 5 V to 188 V |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | R-PDSO-C2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.29 | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
最大击穿电压: | 78.7 V | 最小击穿电压: | 64.4 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码: | DO-214AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 5 W | 最大重复峰值反向电压: | 58 V |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMBJ58AD / CAD | SWST |
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瞬态电压抑制管 |
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SMBJ58AE3 | MICROSEMI |
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SURFACE MOUNT 600 Watt Transient Voltage Suppressor |
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SMBJ58A-E3/52 | VISHAY |
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TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA |
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SMBJ58A-E3/5B | VISHAY |
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TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA |
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SMBJ58AE3/TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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SMBJ58AE3/TR13 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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SMBJ58AE3/TR7 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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SMBJ58AE3TR | MICROSEMI |
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600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
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SMBJ58A-G | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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SMBJ58A-H | YINT |
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Automotive and High Reliability TVS Diodes |
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