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| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.21 |
| 其他特性： | LOW IMPEDANCE | 最小击穿电压： | 50 V |
| 最大钳位电压： | 80.3 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-214AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 5 µA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBJ45C/2 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC |
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| SMBJ45C/5 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC |
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| SMBJ45C/TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 45V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |
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| SMBJ45C/TR13 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 45V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |
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| SMBJ45C/TR7 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 45V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |
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| SMBJ45C-52-E3 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 45V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |
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| SMBJ45CA | WILLAS |
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600W SURFACE MOUNT GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| SMBJ45CA | SYNSEMI |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| SMBJ45CA | BYTESONIC |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS |
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| SMBJ45CA | SECOS |
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600W Peak Power Surface Mount TVS |
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