5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW IMPEDANCE |
| 最小击穿电压： | 33.3 V | 最大钳位电压： | 48.4 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-214AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 5 µA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBJ30CA/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |
|
| SMBJ30CA-13 | DIODES |
获取价格 |
600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| SMBJ30CA-13-F | DIODES |
获取价格 |
600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| SMBJ30CA-7-F | DIODES |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, LEAD |
|
| SMBJ30CA-AT | UNSEMI |
获取价格 |
Surface Mount Transient Voltage Suppressors |
|
| SMBJ30CA-AT | YAGEO |
获取价格 |
瞬态抑制二极管 (车用) |
|
| SMBJ30CA-AU | JJM |
获取价格 |
车规瞬态电压抑制二极管 |
|
| SMBJ30CAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
SURFACE MOUNT 600 Watt SURFACE MOUNT 600 Watt |
|
| SMBJ30CA-E3/52 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA |
|
| SMBJ30CA-E3/5B | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
