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SMBJ30-HE3/5B

更新时间： 2024-02-22 14:36:54
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网光电二极管电视
页数 文件大小 规格书
6页 107K
描述
600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN

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SMBJ30-HE3/5B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214AA包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.1其他特性：UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY
最大击穿电压：40.7 V最小击穿电压：33.3 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：600 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SMBJ30-HE3/5B 数据手册

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SMBJ5.0 thru SMBJ188CA  
Vishay General Semiconductor  
Surface Mount TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated chip junction  
• Available in Unidirectional and Bidirectional  
• 600 W peak pulse power capability with a  
10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty cycle):  
0.01 %  
• Excellent clamping capability  
DO-214AA (SMB J-Bend)  
• Very fast response time  
• Low incremental surge resistance  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF max peak  
of 260 °C  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
TYPICAL APPLICATIONS  
VWM  
PPPM  
5.0 V to 188 V  
600 W  
Use in sensitive electronics protection against voltage  
transients induced by inductive load switching and  
lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units  
for consumer, computer, industrial, automotive and  
telecommunication.  
I
FSM (Unidirectional only)  
Tj max.  
100 A  
150 °C  
DEVICES FOR BIDIRECTION APPLICATIONS  
For bidirectional devices use C or CA suffix  
(e.g. SMBJ10CA).  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-214AA (SMBJ)  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Electrical characteristics apply in both directions.  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
Polarity: For unidirectional types the band denotes  
cathode end, no marking on bidirectional types  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
PPPM  
VALUE  
Minimum 600  
see next table  
100  
UNIT  
W
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 µs waveform (1,2) (see Fig. 1)  
Peak pulse current with a 10/1000 µs waveform (1)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only (2)  
Operating junction and storage temperature range  
IPPM  
A
IFSM  
A
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Note:  
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA = 25 °C per Fig. 2  
(2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal  
Document Number 88392  
08-Sep-06  
www.vishay.com  
1
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与SMBJ30-HE3/5B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMBJ30-M3/52 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ30-M3/5B VISHAY

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ30P MCC

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 		DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN, Transient Suppress
SMBJ30-T MCC

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 30V V(RWM), Unidirectional,
SMBJ30T3 LITTELFUSE

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
SMBJ30TRE3 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 30V V(RWM), Unidirectional,
SMBJ33 TSC

获取价格

 		Surface Mount Transient Voltage Suppressor
SMBJ33 FCI

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 		5.0V to 170V SMD TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
SMBJ33 DAESAN

获取价格

 		POWER 600Watts VOLTAGE 5.0 to 188 Volts
SMBJ33 VISHAY

获取价格

 		SURFACE MOUNT TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SU

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