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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.08 |
| 其他特性： | LOW INDUCTANCE | 最大击穿电压： | 28.1 V |
| 最小击穿电压： | 22.2 V | 击穿电压标称值： | 25.2 V |
| 最大钳位电压： | 35.8 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-214AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 20 V |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBJ20C-T3 | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 20V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |
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| SMBJ20CTR | MICROSEMI |
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600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| SMBJ20CTRE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 20V V(RWM), Bidirectional, |
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| SMBJ20D / CD | SWST |
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瞬态电压抑制管 |
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| SMBJ20D-M3/H | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 20V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| SMBJ20D-M3/I | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 20V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMBJ20E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 20V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| SMBJ20-E3/52 | VISHAY |
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TVS DIODE 20V 35.8V DO214AA |
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| SMBJ20-E3/55 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 20V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| SMBJ20-E3/5B | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 20V 35.8V DO214AA |
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