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SMBJ18C

更新时间: 2024-11-25 20:28:59
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PROTEC 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 226K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 18V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA

SMBJ18C 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.21
Is Samacsys:N其他特性:LOW IMPEDANCE
最小击穿电压:20 V最大钳位电压:32.2 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:18 V最大反向电流:5 µA
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

SMBJ18C 数据手册

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