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SMBJ18A-Q

更新时间： 2024-02-12 19:09:53
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 局域网测试光电二极管电视
页数 文件大小 规格书
6页 500K
描述
TVS DIODE 18V 29.2V SMB

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SMBJ18A-Q 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：0.7
Samacsys Description：SMBJ-Q Transient Voltage Suppressor Diode Series, Uni-Directional其他特性：PRSM-MIN, UL RECOGNIZED
最大击穿电压：22.1 V最小击穿电压：20 V
击穿电压标称值：21.05 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：18 V
最大反向电流：1 µA反向测试电压：18 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

SMBJ18A-Q 数据手册

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Features  
Applications  
AUTOMOTIVE  
GRADE  
nꢀ SurfaceꢀMountꢀSMBꢀpackage  
nꢀꢀStandoffꢀVoltage:ꢀ5ꢀtoꢀ220ꢀvolts  
nꢀ PowerꢀDissipation:ꢀ600ꢀwatts  
nꢀ RoHSꢀcompliant*  
nꢀ Protectionꢀofꢀpowerꢀbuses  
nꢀꢀProtectionꢀofꢀI/Oꢀinterfaces  
nꢀ Overvoltageꢀtransientꢀprotection  
nꢀ Entertainmentꢀapplications  
nꢀ Comfortꢀapplications  
nꢀ AEC-Q101ꢀcompliant**  
nꢀ Telecom,ꢀcomputer,ꢀindustrialꢀandꢀꢀ  
ꢀ
consumerꢀelectronicsꢀapplications  
SMBJ-Q Transient Voltage Suppressor Diode Series  
General Information  
Agency Recognition  
Bourns offers Transient Voltage Suppressor Diodes for surge and ESD protection  
applications, in compact chip package DO-214AA (SMB) size format. The Transient Voltage  
Suppressor series offers a choice of Working Peak Reverse Voltage from 5 V up to 220 V.  
Typical fast response times are less than 1.0 picosecond from 0 V to Breakdown Voltage.  
Description  
UL  
File Number: E153537  
Bourns® Chip Diodes conform to JEDEC standards, are easy to handle with standard pick  
and place equipment and the flat configuration minimizes roll away.  
Electrical Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
(Note 1,2)  
Minimum Peak Pulse Power Dissipation (T = 1 ms)  
P
P
600  
Watts  
PK  
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms Single Half Sine Wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
I
100  
Amps  
FSM  
(Note 3)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
-55 to +150  
-55 to +150  
°C  
°C  
J
T
STG  
1. Non-repetitive current pulse, per Pulse Waveform graph and derated above T = 25 °C per Pulse Derating Curve.  
A
2
2. Mounted on 5.0 mm (0.03 mm thick) copper pads to each terminal.  
3. 8.3 ms Single Half-Sine Wave duty cycle = 4 pulses maximum per minute (unidirectional units only).  
Asia-Pacific:  
Tel: +886-2 2562-4117 • Email: asiacus@bourns.com  
Europe:  
Tel: +36 88 885 877 • Email: eurocus@bourns.com  
The Americas:  
Tel: +1-951 781-5500 • Email: americus@bourns.com  
www.bourns.com  
WARNING Cancer and Reproductive Harm - www.P65Warnings.ca.gov  
*RoHSꢀDirectiveꢀ2015/863,ꢀMarꢀ31,ꢀ2015ꢀandꢀAnnex.  
**”Q”ꢀpartꢀnumberꢀsuffixꢀindicatesꢀAEC-Q101ꢀcompliance.  
Specificationsꢀareꢀsubjectꢀtoꢀchangeꢀwithoutꢀnotice.  
Usersꢀshouldꢀverifyꢀactualꢀdeviceꢀperformanceꢀinꢀtheirꢀspecificꢀapplications.ꢀ  
Theꢀproductsꢀdescribedꢀhereinꢀandꢀthisꢀdocumentꢀareꢀsubjectꢀtoꢀspecificꢀlegalꢀdisclaimersꢀasꢀsetꢀforthꢀonꢀtheꢀlastꢀpageꢀofꢀthisꢀdocument,ꢀandꢀatꢀwww.bourns.com/docs/legal/disclaimer.pdf.  
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与SMBJ18A-Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMBJ18A-Q1 ANBON

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 		SMB
SMBJ18A-QH BOURNS

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 		TVS DIODE 18V 29.2V SMB
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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC

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