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SMBJ110C

更新时间: 2024-11-14 20:28:59
品牌 Logo 应用领域
PROTEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 226K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 110V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA

SMBJ110C 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.28
其他特性:LOW IMPEDANCE最小击穿电压:122 V
最大钳位电压:196 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:110 V
最大反向电流:5 µA表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

SMBJ110C 数据手册

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