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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.62 |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED | 最大击穿电压： | 141 V |
| 最小击穿电压： | 111 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-214AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBJ100C-T3 | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMBJ100CTR | MICROSEMI |
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600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| SMBJ100CTRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 100V V(RWM), Bidirectional, |
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| SMBJ100D / CD | SWST |
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瞬态电压抑制管 |
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| SMBJ100E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| SMBJ100-E3/52 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 100V 179V DO214AA |
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| SMBJ100-E3/5B | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 100V 179V DO214AA |
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| SMBJ100-G | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| SMBJ100HE3/52 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 100V 179V DO214AA |
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| SMBJ100HE3/5B | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 100V 179V DO214AA |
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