SMBJ100CATR

更新时间： 2024-01-03 00:41:36

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	143K
描述
600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2

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SMBJ100CATR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	17 weeks	风险等级：	0.74
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	111 V
最大钳位电压：	212 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	4000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBJ100CA-TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRANSILTM
SMBJ100CATRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100V V(RWM), Bidirectional,
SMBJ100CD-M3/H	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ100C-E3/52	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ100CE3/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ100CE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
SMBJ100CT3	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
SMBJ100CT3	CRYDOM	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ100C-T3	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ100CTR	MICROSEMI	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2