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SMBG60A

更新时间: 2024-10-27 22:27:39
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 143K
描述
UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT

SMBG60A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-215AA
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.58
Is Samacsys:N最大击穿电压:73.7 V
最小击穿电压:66.7 V击穿电压标称值:70.2 V
最大钳位电压:96.8 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-215AAJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.38 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:60 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SMBG60A 数据手册

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