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SMB8J10C-E3/2C

更新时间： 2024-11-13 17:21:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 105K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 800W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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SMB8J10C-E3/2C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214AA包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.76最大击穿电压：13.6 V
最小击穿电压：11.1 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：800 W元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：BIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：10 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SMB8J10C-E3/2C 数据手册

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SMB10(8)J5.0(C) thru SMB10(8)J40(C)A  
Vishay General Semiconductor  
High Power Density Surface Mount TRANSZORB®  
Transient Voltage Suppressors  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated chip junction  
• Available in Unidirectional and Bidirectional  
• Excellent clamping capability  
• Very fast response time  
• Low incremental surge resistance  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF max peak  
DO-214AA (SMB)  
of 260 °C  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
Use in sensitive electronics protection against voltage  
transients induced by inductive load switching and  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units  
for consumer, computer, industrial, automotive and  
telecommunication.  
VWM  
5.0 V to 40 V  
1000 W  
800 W  
P
PPM (Unidirectional)  
P
PPM (Bidirectional)  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-214AA (SMBJ)  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
IFSM (Unidirectional only)  
Tj max.  
100 A  
150 °C  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
Polarity: For unidirectional types the color band  
denotes cathode end, no marking on bidirectional  
types  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 µs  
waveform (1,2) (see Fig. 1)  
Unidirectional  
Bidirectional  
1000  
800  
PPPM  
W
Peak pulse current with a 10/1000 µs waveform (1)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only (2)  
IPPM  
IFSM  
see next table  
100  
A
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Note:  
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA = 25 °C per Fig. 2  
(2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal  
Document Number 88422  
12-Sep-06  
www.vishay.com  
1
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与SMB8J10C-E3/2C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMB8J10C-E3/51 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 800W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMB8J10C-E3/55 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 800W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMB8J10C-E3/5B VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 800W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMB8J10CHE3/52 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 10V V(RWM), Bidirectional,
SMB8J10CHE3/5B VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 10V V(RWM), Bidirectional,
SMB8J10C-HE3/5B VISHAY

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 		800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
SMB8J11 SUNMATE

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 		SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLAGE SUPPESSOR DIODE
SMB8J11A SUNMATE

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 		800W patch TVS transient suppression diode SMB 11V
SMB8J11C VISHAY

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 		High Power Density Surface Mount TRANSZORB® T
SMB8J11CA VISHAY

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 		High Power Density Surface Mount TRANSZORB® T

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