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SMAJP4KE30CAP

更新时间： 2024-11-17 10:59:35

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	1872K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 25.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN

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SMAJP4KE30CAP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.31	其他特性：	UL RECOGNIZED
最大击穿电压：	31.5 V	最小击穿电压：	28.5 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	BIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	25.6 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10

SMAJP4KE30CAP 数据手册

SMAJP4KE6.8(C)A

THRU

SMAJP4KE550(C)A

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

Transient

l For surface mount applicationsin in order to optimize

board space

Voltage Suppressor

6.8 to 550 Volts

l Low profile package

l Fast response time: typical less than 1.0ps from 0 volts to

V_BRminimum

400 Wꢀ att

l Low inductance

ꢀ

DO-214AC

l UL Recognized File # E222849

ꢀ

(SMAJ)(LEAD FRAME)

ꢀ

Mechanical Data

ꢀ

CASE: JEDEC DO-214AC

Terminals: solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Color band denotespositive end (cathode)

except Bidirectional

Maximum soldering temperature: 250^oC for 10 seconds

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Peak Pulse Current on

10/1000us waveform

I_PP

See Table 1 Note: 1

Peak Pulse Power

Dissipation

Peak Forward Surge

Current

P_PP

400W

40A

Note: 1,

Note: 3

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.079

.050

.002

---

.030

.065

.189

.157

.090

MIN

2.00

1.27

.05

DIM

MAX

2.44

1.63

.20

NOTE

I_FSM)

.096

.064

.008

.02

.060

.091

.220

.181

.115

---

.76

1.65

4.80

4.00

2.25

.51

-55^oC to

+150^oC

1.52

2.32

5.59

4.60

2.92

Operation And Storage T_J, T_STG

Temperature Range

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.085 ”

MAX

0.058 ”

MIN

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above

T_A=25^oC per Fig.2.

0.05

MIN

2. Mounted on 5.0mm²copper pads to each terminal.

3. 8.3ms, single half sine wave duty cycle=4 pulses per. Minute

maximum.

www.mccsemi.com

Revision: 2

2005/05/19

12 3 4

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与SMAJP4KE30CAP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMAJP4KE30CAQ	MCC	获取价格	Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
SMAJP4KE30CA-TP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 25.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMAJP4KE30CA-TP-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 25.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMAJP4KE30CATRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 25.6V V(RWM), Bidirectional,
SMAJP4KE30CE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 24.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMAJP4KE30CTR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 24.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMAJP4KE30E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 24.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMAJP4KE30E3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 24.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMAJP4KE30-TP-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode
SMAJP4KE30TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 24.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO

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