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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-C2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.82 | 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN, UL CERTIFIED |
| 最大击穿电压： | 92.1 V | 最小击穿电压： | 83.3 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-214AC |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 400 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 3.3 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压： | 75 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMAJ75A-AU | JJM |
获取价格 |
车规瞬态电压抑制二极管 |
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| SMAJ75AD / CAD | SWST |
获取价格 |
瞬态电压抑制管 |
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| SMAJ75A-E3/5A | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 75V 121V DO214AC |
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| SMAJ75A-E3/61 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 75V 121V DO214AC |
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| SMAJ75AE3/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 75V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| SMAJ75AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 75V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMAJ75A-G | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 75V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMAJ75A-GT3 | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 75V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMAJ75AHE3 | MCC |
获取价格 |
Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn; |
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| SMAJ75AHE3/5A | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 75V 121V DO214AC |
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